大直径晶片的清洗采用上述方法不好保证其清洗过程的完成，通常采用单晶片清洗法，如下图所示，其清洗过程是在室温下重复利用di-o 3/dhf清洗液，臭氧化的di水（di-o3 ）产生氧化硅，稀释的hf蚀刻氧化硅，同时清除颗粒和金属污染物。根据蚀刻和氧化的要求采用较短的喷淋时间就可获得好的清洗效果，不会发生交叉污染。后冲洗不是采用di水就是采用臭氧化di水。为了避免水渍，采用浓缩大量氮气的异丙基乙醇（ipa）进行干燥处理。单晶片清洗具有或者比改良的rca清洗更好的清洗效果，清洗过程中通过采用di水及hf的再循环利用，降低化学品的消耗量，提高晶片成本效益。