失效分析设备，失效分析实验室建设，仪准科技自主研发生产的微光显微镜，
就半导体元器件故障失效分析而言，微光显微镜emmi是一种相当有用且效率*的分析工具。主要侦测ic内部所放出光子。在ic元件中，ehp(electron hole pairs) recombination会放出光子(photon)。
失效分析设备，失效分析实验室建设，仪准科技自主研发生产的微光显微镜，举例说明：在p-n 结加偏压，此时n阱的电子很容易扩散到p阱，而p的空穴也容易扩散至n然後与p端的空穴（或n端的电子）做 ehp recombination。
故障分析微光显微镜，失效分析设备，失效分析实验室建设
侦测得到亮点之情况：
会产生亮点的缺陷 - 漏电结（junction leakage）; 接触毛刺（contact spiking）; （热电子效应）hot electrons;闩锁效应（ latch-up）;氧化层漏电（ gate oxide defects / leakage(f-n current)）;多晶硅晶须（poly-silicon filaments）; 衬底损伤（substrate damage）; （物理损伤）mechanical damage等。
advancedyi仪准科技自主研发的用于实验室高精度电流异常失效分析，位置确认。
原有的亮点 - saturated/ active bipolar transistors; -saturated mos/dynamic cmos; forward biased diodes/reverse；biased diodes(break down) 等。
侦测不到亮点之情况：
不会出现亮点的故障 - 欧姆接触；金属互联短路；表面反型层；硅导电通路等。
亮点被遮蔽之情况 - buried junctions及leakage sites under metal，这种情况可以采用backside模式，但是只能探测近红外波段的发光，且需要减薄及抛光处理。
obirch（光束诱导电阻变化）
光诱导电阻变化（obirch）模式能快速准确的进行ic中元件的短路、布线和通孔互联中的空洞、金属中的硅沉积等缺陷。其工作原理是利用激光束在恒定电压下的器件表面进行扫描，激光束部分能量转化为热能，如果金属互联线存在缺陷，缺陷处温度将无法迅速通过金属线传导散开，这将导致缺陷处温度累计升高，并进一步引起金属线电阻以及电流变化，通过变化区域与激光束扫描位置的对应，定位缺陷位置。obirch模式具有高分辨能力，其测试精度可达n*。
pem（photo emission microscope)
光束诱导电阻变化（obirch）功能与光发射（emmi）常见集成在一个检测系统，合称pem（photo emission microscope)，两者互为补充，能够很好的应对绝大多数失效模式。
emmi (enhanced man machine interface) 加强版人机交互界面，可以实现半导体元器件测量。