氧等离子体表面处理对ito薄膜的影响改善ito薄膜电学性能：
铟锡氧化物(ito)作为一种重要的透明半导体材料，不仅具有稳定的化学性质，而且具有优良的透光性和导电能力，因此在光电子工业中得到了非常广泛的应用。ito的导带主要由in和sn的5s轨道组成，而价带则是氧的2p轨道占主导地位，氧空位及sn取代掺杂原子构成施主能级并影响导带中的载流子浓度，ito由于沉积过程中在薄膜中产生氧空位和sn掺杂取代而形成高度简并的n型半导体，其费米能级er位于导带底ec之上，从而具有很高的载流子浓度和较低的电阻率。
另外， ito的光学带隙较宽，因此它对可见光和近红外光都具有很高的透过率。由于ito薄膜具有上述性质，所以它被广泛应用于光伏电池、电致发光、液晶显示、传感器和激光器等光电器件中。，ito属于非化学计量学，化合物，沉积条件、后处理工艺和清洗方法等因素都将明显影响其表面性能，特别是其表面的表面形态和化学组分，从而影响ito薄膜与有机层之间的界面特性，并进而影响器件的光电性能。
因此商用ito导电玻璃用于制作器件之前，通常需要采用适当的方法对ito薄膜表面进行处理，通过改进其表面电学性能和表面形态来提高器件的性能。迄今为止，用于ito表面改性的方法可以分为干法处理和湿法处理两种类型。其中，氧等离子体表面处理干法处理通常采用各种电离气体等离子体对ito表面进行清洗，来去除其表面污染、改善其表面形态;而湿法处理则通过不同的有机溶剂在ito表面键合新的基团，以达到对其表面进行改性的目的。
采用氧等离子体处理对ito阳极进行表面改性，处理前后ito薄膜化学组分、晶体结构、透光性能和方块电阻的变化可以看出，未处理的ito表面含有碳元素相关的残余污染物，而经过等离子体处理后，其肩峰强度得到了明显减小，这说明氧等离子体表面处理有效去除ito表面上的有机污染物。等离子体处理在降低了ito表面的碳浓度的同时，提高了ito表面的氧浓度，而改善了ito表面的化学组分，这对于提高ito的功函数、改善器件性能是非常重要的。另外, 采用四探针方法测试处理前后ito样品的方块电阻，发现等离子体处理能够降低ito电极的方块电阻，有利于器件性能的改善。
综上所述，在几乎不改变ito薄膜晶体结构和光学透过率的条件下，氧等离子体表面处理不仅降低了ito的方块电阻，而且改善了ito表面的化学组分、提高了ito的功函数，从而优化了ito阳极的物理性能。等离子体表面改性有利于提高有机太阳能电池的能量转换效率、改善器件的光伏性能，对于提高有机光伏电池的短路电流、填充因子和能量转换效率都具有重要的作用。