等离子体清洗机用于半导体晶片清洗工艺：
伴随着半导体技术的持续发展壮大,对加工工艺的需求变得越来越高,尤其是对半导体芯片晶圆的工艺性能需求变得越来越严,其首要因素是晶圆表层的颗粒物和金属材料残渣玷污会严重的影响到电子元器件的产品质量和合格率,在现阶段的集成电路芯片生产制造中,鉴于晶圆表层玷污难题,仍有50%之上的原材料被损耗掉。
在半导体芯片加工工艺中,基本上每工艺程序上都是需要来进行清洁,晶圆清洁产品质量的优劣对电子元器件稳定性有严重的的影响到。更是鉴于晶圆清洁是半导体工艺技术中最重要、最多的工艺程序,同一时间其工艺技术产品质量将可以直接影响到到电子元器件的合格率、稳定性和安全性,因而世界各国各大企业、科学研究组织等对清洁工艺技术的科学研究一直在不停地来进行。等离子清洗机做为1种现代化的干试清洁技术工艺，具备环保节能等特性，伴随着微电子技术行业领域的快速发展壮大，等离子清洗机也在半导体芯片的运用逐渐增多。
半导体中是需要某些有机化合物和无机化合物加入达成,此外,鉴于工艺技术一直在净化处理室中由人的加入来进行,因而半导体芯片晶圆难以避免的被各类残渣影响。依据污染物质的主要来源、特性等,大概可可分为颗粒物、有机化合物、金属离子和金属氧化物2大类。
1)等离子清洗机颗粒物
颗粒物主要是某些高聚物、导电银胶和蚀刻加工残渣等。这类污染物质一般首要依赖范德瓦尔斯的吸引粘附在晶圆表层,影响到电子元器件刻蚀工艺程序的几何立体图形的构成及电力学主要参数。这类污染物质的清除方式首要以物理上的或有机化学的方式对颗粒物来进行底切,逐步减少其与晶圆表层的触碰范围,最后将其清除。
2)等离子清洗机有机化合物
有机化合物残渣的主要来源较为普遍,如人的肌肤脂肪油、微生物、机械润滑油、真空脂、导电银胶、清洁有机溶液等。这类污染物质一般在晶圆表层构成有机化合物塑料薄膜阻拦清洁液抵达晶圆表层,致使晶圆表层清洁不,导致金属材料残渣等污染物质在清洁过后仍完好的留存在晶圆表层。这类污染物质的清除通常在清洁工艺程序的第1步来进行,首要运用盐酸和过氧化氢等方式来进行。