双极型cmos(或bicmos)的特点在于，利用了双极型器件的速度快和mosfet的功耗低两方面的优势，因而这种逻辑门电路受到用户的重视。
1.bicmos反相器
图1 基本的bicmos反相器电路
图1表示基本的bicmos反相器电路，为了清楚起见，mosfet用符号m表示，bjt用t表示。t1和t2构成推拉式输出级。而mp、mn、m1、m2所组成的输入级与基本的cmos反相器很相似。输入信号vi同时作用于mp、mn的栅极。当vi为高电压时，mn导通而mp截止；而当vi为低电压时，情况则相反，mp导通，mn截止。当输出端接有同类bicmos门电路时，输出级能提供足够大的电流为电容性负载充电。同理，已充电的电容负载也能迅速的通过t2放电。
上述电路中，t1和t2的基区存储电荷亦可通过m1和m2释放，以加快电路的开关速度。当vi为高电压时m1导通，t1基区的存储电荷迅速消散。这种作用与ttl门电路的输入级中t1类似。同理，当vi为低电压时，电源电压vdd通过mp以激励m2，使m2导通，显然，t2基区的存储电荷通过m2而消散。可见，门电路的开关速度可得到改善。
2.bicmos门电路
根据cmos门电路的结构和工作原理，同样可以用bicmos技术实现或非门和与非门。如果要实现或非逻辑关系，输入信号用来驱动并联的n沟道mosfet，而p沟道mosfet则彼此串联。这一思路可用图2所示的2输入端或非门来说明。若两输入端a和b均为低电平时，则两个mosfet，mpa和mpb均导通，t1导通而mna和mnb均截止，输出l为高电平，与此同时，m1通过mpa和mpb被vdd所激励，从而为t2的基区存储电荷提供一条释放通路。
图2 2输入端或非门电路
另一方面，当两输入端a和b中之一为高电平时， 则mpa和mpb的通路被断开，并且mpa或mpb导通，将使输出端为低电平。同时，m1a或m1b为t1的基极存储电荷提供一条释放道路。由此可见，在图2的逻辑电路中，只要有一个输入端接高电平，输出即为低电平。同理，可以构成与非门电路。