某芯片设计机构研究部门采用伯东hakuto离子蚀刻机7.5ibe用于芯片去层.
hakuto离子蚀刻机7.5ibe技术规格:
真空腔
1 set,主体不锈钢,水冷
基片尺寸
1 set, 4”/6”ϕ stage,直接冷却,
离子源
ϕ 8cm考夫曼离子源kdc75
离子束入射角
0 degree～± 90 degree
极限真空
≦1x10-4 pa
刻蚀性能
一致性: ≤±5% across 4”
该hakuto离子刻蚀机7.5ibe的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的kri考夫曼公司的考夫曼离子源kdc 75
伯东美国kri考夫曼离子源kdc75技术参数：
离子源型号
离子源kdc 75
discharge
dc热离子
离子束流
>250 ma
离子动能
100-1200 v
栅极直径
7.5 cm φ
离子束
聚焦,平行,散射
流量
2-15 sccm
通气
ar, kr, xe, o2, n2, h2,其他
典型压力
< 0.5m torr
长度
20.1 cm
直径
14 cm
中和器
灯丝
无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构（passivation, metal, idl）可一层一层去除, 也就是芯片去层（delayer）, 通过层次去除（delayer）可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构.
若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论,请参考以下联络方式:
上海伯东:罗先生