圆片在基区扩散后，发射区扩散前都要做先行片，由先行片的实验工艺条件来指导批量生产，在测试前需要进行特性光刻开特性孔，特性光刻后进行前处理：在加热到（75±5）℃的2号液中煮一段时间，然后再进行h2处理，后利用四探针测试仪测试晶体管的特性。
h2处理的工艺温度为500℃，进行h2处理的目的是为了改善硅片表面的表面态密度，由于硅片特性光刻后在表面形成很多硅的悬挂键，即存在很多表面态，通过h2处理可以将硅悬挂键和氢键结合从而减少界面态，如果不进行h2处理，特性测试不出来。
对于三极管（小功率和大功率）来说，主要是双结测试，主要测试参数有bvcbo、bvceo、bvebo、hfe，如果hfe偏小，则需要追加扩散，一般扩散时间越长，hfe越大，当然hfe均匀性也很重要，不能太离散。对于大功率晶体管还需要在基区扩散后进行单结，主要测试bvcbo。