绝缘栅双极晶体管（insulated-gate bipolar transistor—igbt或igt）
gtr和mosfet复合，结合二者的优点，具有好的特性。80年代中期问世以来，逐步取代了gtr和一部分mosfet的市场,中小功率电力电子设备的主导器件。
igbt的结构
igbt相当于一个由mosfet驱动的厚基区gtr。从图中我们还可以看到在集电极和发射极之间存在着一个寄生晶闸管，寄生晶闸管有擎住作用。采用空穴旁路结构并使发射区宽度微细化后可基本上克服寄生晶闸管的擎住作用。igbt的低掺杂n漂移区较宽，因此可以阻断很高的反向电压。
igbt的结构、符号及等效电路