vishay intertechnology在今天宣布推出第四代trenchfet系列的60v n沟道功率mosfet。该系列包括sir626dp、sir620dp、sir624dp、sir620adp和sir624adp等型号。这些型号专为标准栅极驱动电路而设计，可以广泛应用于轻型汽车、模块化电源、dc-dc转换电路和服务器电源等领域。
这些mosfet采用了先进的trenchfet技术，具有低导通电阻和低开关损耗等特点。sir620dp和sir624dp型号的导通电阻分别为6.6 mω和10.1 mω。同时，它们还具有较高的可靠性和emi性能。
值得一提的是，这些产品还支持vishay的drmos封装技术。drmos是一种先进的分立解决方案，可将mosfet、驱动器和电源电感器集成在一起，提高效率并减少系统复杂性。
此外，这些mosfet还符合rohs指令和halogen free标准，且可用于-55°c至150°c的工作温度范围内。
总的来说，这些第四代trenchfet系列的60v n沟道功率mosfet具有性能稳定、可靠性高、应用领域广泛等特点，是广大用户的理想选择。