1．结构
igbt的基本结构如图1a）所示，与p-mosfet结构十分相似，相当于一个用mosfet驱动的厚基区pnp晶体管。仔细观察发现其内部实际上包含了两个双极型晶体管p+np及n+pn，它们又组合成了一个等效的晶闸管。这个等效晶闸管将在igbt器件使用中引起一种“擎住效应”，会影响igbt的安全使用。
a） 结构示意图 b） 等效电路 c） 符号
图 igbt示意图
2．工作原理
igbt的等效电路如图1b）所示，是以pnp型厚基区gtr为主导元件、n沟道mosfet为驱动元件的达林顿电路结构器件，rdr为gtr基区内的调制电阻。图1c）则是igbt的电路符号。
igbt的开通与关断由栅极电压控制。栅极上加正向电压时mosfet内部形成沟道，使igbt高阻断态转入低阻通态。在栅极加上反向电压后，mosfet中的导电沟道消除，pnp型晶体管的基极电流被切断，igbt关断。